Detaillierte Leistungsinverterschaltung

           Der Betrieb 12V / 60AH Akku des Haushaltsgerät, die Kraft einmal gefüllt ist, kann fast 5 Stunden verwendet werden. Die Nennleistung von 300W Power Inverter für den Heimfans, Fernseher und tägliche Beleuchtung ist nicht das Problem. Doch selbst wenn die Batteriespannung ausreichend ist, um den 180-Liter-Kühlschrank zu starten bleibt schwierig, aufgrund sofortigen Ausgangsspannungsabfall zu starten ist nicht genug 180V scheitern. Kühlschrank Kompressor Nennleistung von 100W oder so mehr als der tatsächlichen Startzeitstrom bis zu 2A oben, (Solar Netz-Wechselrichter)wenn eine sofortigen Abwärtsverbindungs ​​startet nicht sehr ausgeprägt, wesentlich für den Fortschritt der Ausgangsleistung 600VA. Da gleichzeitig die Ausgangsleistung erhöhen, kann das PWM-Regler Empfangssystem sofortige starke Abnahme Blutdruckreduktion beginnen. Ob noch Ventilator Kühlschrank, die Wechselrichterstromversorgung Anwendung sollte zusätzlich in Fig. 1 LC-Filter der Ausgang des Wechselrichters, um die Wellenform zu verbessern, die Impulsflanke Spikes Bruchs die Motorwicklungen stoppen.

           Ein Inverter bipolaren Schalter empfängt, ist der Basisansteuerstrom im wesentlichen 1 / β Stromschalt und somit ein großer Stromschaltkreis die mehrstufigen Verstärkung erhält, ist erforderlich, nicht nur verkompliziert die Schaltung, die Zuverlässigkeit verschlechtert wird? Und mit die Ausgangsleistung zu erhöhen, muss der Antriebsstrom-Schalter sein, größer ist als der Kollektorstrom von 1 / β, so dass die normalen IC hilflos indirekten Antrieb antreibt. Während des Empfangs kann mehrstufiges Amplifikationszwecke erreicht werden, aber scharfe Wellenformverzerrung erhöht hat, (converter)in dem Schalter resultiert, wird ein / aus Verlust steigt gedreht. Derzeit gelten und Kraft UPS Umrichterantrieb Schema, die meisten der Röhre für die MOS-FET-Schaltvorrichtung empfängt.

           In der letzten Jahren, so dass der Herstellungsprozess eines Metalloxid mit isoliertem Gate-Feldeffekttransistor schnellen Wachstums, dass die Drain-Source-Spannung (VDS) von kV oder mehr beträgt, der Drain-Source-Strom (IDS) von 50A unzureichend war überraschend, also mit breiten Hochfrequenz-Leistungsverstärker und Schaltkreis.

           Außerdem gibt es mit dem Produkt der bipolaren Transistoren MOS FET Rohr gemischt, das heißt ein sogenanntes Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT. Wie der Name schon sagt, ist es der Fall der Röhre als Vorstufe MOS-FET, einen bipolaren Transistor als eine Kombination aus dem Ausgabegerät. Somit können sowohl die Spannungs Fahreigenschaften des IGBT-Isolierschicht-Feldeffekttransistor, bipolarer Transistoren Sättigungsdruck und Niederdruckabfall hohe Ausgangseigenschaften aufweisen, Abschaltzeit erreicht 0.4μs oder weniger, VCEO max erreicht 1,8 kV, ICM erreichen der Grad 100A, die derzeit in Motordrehzahlregelung verwendet wird, Hochleistungsschaltnetzteil und die Wechselrichterschaltung.

           Parallel Gegentaktschaltung, die allgemein in MOS-FET-Leistungsschaltröhre Leistungsinverter verwendet. MOS-FET-Drain pipes - Source-Ein-Widerstand, die beiden Widerstandsfließeigenschaften aufweisen, wenn die parallele Anwendung Ströme sind nicht notwendigerweise sehr indirekter externer Parallelwiderstand, der Drain mit der Source-Anwendung. Die Gate-Source-Anwendungen parallel, wobei jedes MOS-FET erforderlich, um einen separaten Rohr Gateisolationswiderstände, wobei jeder Kondensator parallel zu dem Schalter zu empfangen, um die Gesamtgatekapazität erhöht zu stoppen bis dem Ladestrom zunimmt, wobei das Verfahren die Ansteuerspannung der Einrichtung verzögert Schalter erhöht Verlustleitung.

           In den letzten Jahren mit Verbesserungen im Herstellungsverfahren von MOS-FET, Schaltnetzteil, sind im Großen und Ganzen changer Rohr als MOS-FET einen Hochfrequenz-Hochspannungs-Schaltkreis empfängt, (wechselrichter)jedoch auf einem integrierten Schaltkreis MOS-FET gewidmet wird angetrieben Rohr häusliche selten. MOS-FET-Antriebsrohr Anforderungen, niedrige Ausgangsimpedanz, die Ansteuerschaltung mit Senkenstrom. Daher wird im Allgemeinen in bipolarer Schalttransistor Antrieb verwendete IC nicht direkt verwendet werden kann, um die FET-Treiber.